Thyristor အမြန်ပြောင်းပါ။

ဖော်ပြချက်-

thyristor ၏တူညီသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့်အဆင့်ထိန်းချုပ်မှုသင်္ကေတပါရှိသောအမြန်ပြောင်း thyristor၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သောတည်ငြိမ်သောဝိသေသလက္ခဏာများအထူးသဖြင့်ပြောင်းလဲနေသောဝိသေသလက္ခဏာများကို rectification၊ ခုတ်ထစ်ခြင်း၊ အင်ဗာတာနှင့်ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်း circuit ၏မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအသုံးပြုမှုလိုအပ်သည်။Fast thyristor ၏ သွက်လက်သော ကန့်သတ်ချက်များမှာ အမြန်ဖွင့်အမြန်နှုန်းနှင့် အဖွင့်အဖွင့်ချဲ့ထွင်မှုအမြန်နှုန်း၊ ပြောင်းပြန်ပြန်ယူအားလျော့နည်းမှု၊ နှင့် ခဏတာပိတ်ချိန်၊ မြင့်မားသောအရေးပါသည့်အခြေအနေတွင် လက်ရှိ (di/dt) နှင့် အရေးကြီးသောနှုန်း off-state voltage (dv/dt) မြင့်တက်ခြင်း။အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ကြိမ်နှုန်းအတွင်း အမြန် thyristor ၏ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော လျှပ်စီးကြောင်းသည် အကြိမ်ရေတိုးလာသောအခါ အနည်းငယ်လျော့သွားမည်မဟုတ်ပေ။

RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်၏ အမြန်ပြောင်း thyristor ထုတ်လုပ်မှု စံနှုန်းနှင့် လုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာကို တရုတ်နိုင်ငံတွင် thyristor ထုတ်လုပ်မှု၏ ရှေ့ဆောင်အဖြစ် 1980 ခုနှစ်ကတည်းက USA မှ စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး RUNAU ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာအဖွဲ့သည် အနှစ် 30 ကျော်အထိ ခေတ်မီသော အသိပညာနှင့် လုံလောက်သောထုတ်လုပ်မှုအတွေ့အကြုံကို ရယူခဲ့သည်။သမားရိုးကျ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်၏ အခြေခံတွင်၊ RUNAU Electronics ၏ ကျွမ်းကျင်သော နည်းပညာရှင်များသည် ဥရောပ ထုတ်ကုန်များ၏ အားသာချက်များဖြင့် thyristor ထုတ်လုပ်မှုတွင် အနုပညာ-ပြည်နယ် နည်းပညာကို တီထွင်ခဲ့ပြီး အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မှာ အလွန်တိုးတက်ခဲ့ပြီး ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ အသုံးပြုမှုတွင် ပိုမိုကြီးမားသော အောင်ပွဲများ ရရှိခဲ့သည်။ မိတ်ဖက်များအတွက် ပိုမိုတန်ဖိုးများ ဖန်တီးခဲ့သည်။

နိဒါန်း-

1. ချစ်ပ်ပြား

RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်မှထုတ်လုပ်သော thyristor ချစ်ပ်ကို sintered သတ္တုစပ်နည်းပညာဖြင့်အသုံးပြုသည်။ဆီလီကွန် နှင့် မိုလစ်ဘဒင်နမ် wafer ကို သန့်စင်သော အလူမီနီယမ် (99.999%) ဖြင့် ရောစပ်ရန်အတွက် သန့်စင်ထားသော လေဟာနယ်နှင့် မြင့်မားသော အပူချိန် ပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် ဖြစ်သည်။sintering ဝိသေသလက္ခဏာများ၏စီမံခန့်ခွဲမှုသည် thyristor ၏အရည်အသွေးကိုထိခိုက်စေရန်အဓိကအချက်ဖြစ်သည်။RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်၏ ကျွမ်းကျင်မှုသည် အလွိုင်းလမ်းဆုံအတိမ်အနက်၊ မျက်နှာပြင်ညီညာမှု၊ သတ္တုစပ်အပေါက်ကို စီမံခန့်ခွဲနိုင်သည့်အပြင် ပျံ့နှံ့မှုစွမ်းရည်အပြည့်၊ အဝိုင်းပုံစံ၊ အထူးဂိတ်ဖွဲ့စည်းပုံကိုလည်း စီမံခန့်ခွဲနိုင်သည်။ထို့အပြင် စက်၏ carrier သက်တမ်းကို လျှော့ချရန် အထူးလုပ်ဆောင်မှုကို အသုံးပြုထားပြီး အတွင်းပိုင်း carrier recombination speed ကို အလွန်လျင်မြန်စေရန်၊ device ၏ reverse recovery charge ကို လျှော့ချပြီး switching speed ကို တိုးမြင့်လာစေသည်။ထိုသို့သော တိုင်းတာမှုများကို မြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းခြင်းလက္ခဏာများ ၊ ပြည်နယ်တွင်း လက္ခဏာများနှင့် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် လက်ရှိပိုင်ဆိုင်မှုများကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် အသုံးချပါသည်။thyristor ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် လည်ပတ်ဆောင်ရွက်မှုသည် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ထိရောက်မှုရှိသည်။

2. Encapsulation

molybdenum wafer နှင့် ပြင်ပပက်ကေ့ခ်ျ၏ ညီညာမှုနှင့် အပြိုင်ထိန်းချုပ်မှုအား တင်းကျပ်စွာထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ချစ်ပ်နှင့် မိုလီဘဒင်နမ်ဝေဖာကို ပြင်ပအထုပ်နှင့် တင်းတင်းကြပ်ကြပ် လုံးလုံး ပေါင်းစပ်ထားမည်ဖြစ်သည်။၎င်းသည် surge current နှင့် high short circuit current တို့၏ ခံနိုင်ရည်အား အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးလိမ့်မည်။အီလက်ထရွန်အငွေ့ပျံခြင်းနည်းပညာကို တိုင်းတာခြင်းနည်းပညာကို ဆီလီကွန်ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ထူထဲသောအလူမီနီယံဖလင်တစ်ခုဖန်တီးရန် အသုံးပြုခဲ့ပြီး မော်လီဘဒင်နမ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ချထားသော ruthenium အလွှာသည် အပူပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို ခံနိုင်ရည်အား မြင့်မားစေမည်ဖြစ်ပြီး၊ fast switch thyristor ၏ အလုပ်သက်တမ်းသည် သိသိသာသာ တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်

1. RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်မှထုတ်လုပ်သောအလွိုင်းအမျိုးအစားချစ်ပ်ပါရှိသောအမြန်ပြောင်း thyristor၊ အပိုင်းအခြား_TAV200A မှ 4000A နှင့် V_DRM/V_RRM1200V မှ 4500V အထိ။
2. I_GT, v_GTငါ_H25 ℃ တွင် စမ်းသပ်မှုတန်ဖိုးများ ဖြစ်သည်၊ အခြားနည်းဖြင့် မဖော်ပြထားပါက၊ အခြား ကန့်သတ်ချက်များ အားလုံးသည် T အောက်တွင် စမ်းသပ်တန်ဖိုးများ ဖြစ်သည်။_jm;
3. I²t=ငါ²F SM×tw/2၊ tw= Sinusoidal တစ်ဝက်လှိုင်း လက်ရှိအခြေခံအကျယ်။50Hz မှာ I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. 60Hz မှာ: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066၊T_j=T_j;ငါ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943၊T_j=T_jm

ကန့်သတ်ချက်-