စတုရန်း thyristor ချစ်ပ်thyristor ချစ်ပ်အမျိုးအစားဖြစ်ပြီး တံခါး၊ cathode၊ silicon wafer နှင့် anode အပါအဝင် PN လမ်းဆုံသုံးခုပါရှိသော လေးလွှာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည်။
cathode၊ silicon wafer နှင့် anode အားလုံးသည် ပြားချပ်ချပ်နှင့် စတုရန်းပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန် wafer ၏ တစ်ဖက်ကို cathode ဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး နောက်တစ်ဖက်ကို anode ဖြင့် ချိတ်ထားကာ၊ ခဲအပေါက်ကို cathode တွင် ဖွင့်ထားပြီး တံခါးကို အပေါက်တွင် စီစဉ်ထားသည်။တံခါး၊ cathode နှင့် anode မျက်နှာပြင်ကို ဂဟေပစ္စည်းဖြင့် စီတန်းထားသည်။အဓိကထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များပါဝင်သည်- ဆီလီကွန် wafer သန့်ရှင်းရေး၊ ပျံ့နှံ့မှု၊ ဓာတ်တိုးမှု၊ photolithography၊ သံချေးတက်မှု၊ passivation ကာကွယ်မှု၊ သတ္တုပြုလုပ်မှု၊ စမ်းသပ်မှုနှင့် အန်စာတုံးများ။
Runau Semiconductor square thyristor ချစ်ပ်သည် အနှုတ်နှစ်ထပ်ပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်ပြီး၊ SIPOS+GLASS+LTO ဖြင့် ဖြန့်ကျက်ထားသော အလူမီနီယမ်ပျံ့ပွားမှု၊ ထူထဲသော အလူမီနီယမ်အလွှာ၊ TiNiAg သို့မဟုတ် Al+TiNiAg ဖြင့် သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော multi-layer သည် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိစေပါသည်။ ဗို့အားကျဆင်းမှု၊ မြင့်မားသောဗို့အားပိတ်ဆို့ခြင်း၊ ချိတ်ဆက်ရလွယ်ကူပြီး ပါဝါမော်ဂျူးထုတ်လုပ်ရာတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှု။
Runau Semiconductor square thyristor ချစ်ပ်များ၏ အားသာချက်မှာ ပစ္စည်းကို ချွေတာနိုင်ခြင်း၊ ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မြင့်မားသော စက်ယန္တရားဖြင့် ပြုလုပ်ခြင်းတွင် သေးငယ်သော အပိုင်းအစများ ဖြစ်ပါသည်။Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co မှထုတ်လုပ်သော thyristor ပါဝါ modules များနှင့် thyristor rectifier hybrid power modules အားလုံးကို ကိုယ်တိုင်လုပ် thyristor ချစ်ပ်များဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ချစ်ပ်များအားလုံးကို Gate parameters များ၊ On-state parameters များ၊ off-state parameters များနှင့် ပေးပို့ခြင်းမပြုမီ စိတ်ကြိုက် parameters များဖြင့် စစ်ဆေးမည်ဖြစ်ပါသည်။ပါဝါ module ၏ဝိသေသလက္ခဏာများကိုလုံးဝထိန်းချုပ်နိုင်သည်။စွမ်းဆောင်ရည်သည် IXYS၊ ST၊ INFINION နှင့် ညီမျှသည်။
စာတိုက်အချိန်- Jan-21-2022