Phase Control Thyristor (အလွိုင်းအမျိုးအစား)

ဖော်ပြချက်-

Silicon Control Rectifier (SCR) ဟုလည်းသိကြသော Thyristor သည် PN တည်ဆောက်ပုံ သုံးခုပါဝင်သော ပါဝါမြင့်မားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။စွမ်းဆောင်ရည်အရ၊ thyristor သည် unidirectional conductivity သာမက၊ ပါဝါချဲ့ထွင်မှုအခြေအနေနှစ်ခုသာရှိသော ဆီလီကွန် rectifier ဒြပ်စင်ထက် တန်ဖိုးကြီးသော ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းလည်း ရှိပြီး ကြီးမားသောပါဝါကို အသေးစား၊ ပါဝါချဲ့ထွင်မှု ရာနှင့်ချီ၍ ထိန်းချုပ်ရန်၊ အကြိမ်ထောင်ပေါင်းများစွာ။တုံ့ပြန်မှုသည် အလွန်မြန်သည်၊ မိုက်ခရိုစက္ကန့်အတွင်း အဖွင့်အပိတ်လုပ်သည်။အဆက်အသွယ်မရှိသောလည်ပတ်မှု၊ မီးပွားများမရှိ၊ ဆူညံသံမရှိ၊ ထိရောက်မှုမြင့်မားပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည်။ထို့ကြောင့်၊ အထူးသဖြင့် power supply စနစ်တွင်၊ thyristor ကို rectifier circuit၊ static bypass switch၊ contact-free output switch နှင့် အခြားသော circuit များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုခဲ့သည်။

RUNAU Electronics ၏ thyristor ထုတ်လုပ်မှု စံချိန်စံညွှန်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာကို တရုတ်နိုင်ငံတွင် thyristor ထုတ်လုပ်မှု၏ ရှေ့ဆောင်တစ်ဦးအနေဖြင့် 1980 ခုနှစ်ကတည်းက USA မှ စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး RUNAU ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာအဖွဲ့သည် အနှစ် 30 ကျော်အထိ ခေတ်မီသော အသိပညာနှင့် လုံလောက်သောထုတ်လုပ်မှုအတွေ့အကြုံကို ရယူခဲ့သည်။သမားရိုးကျ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်၏ အခြေခံတွင်၊ RUNAU Electronics ၏ ကျွမ်းကျင် ပညာရှင်များသည် ဥရောပ ထုတ်ကုန်များ၏ အားသာချက် လက္ခဏာများဖြင့် thyristor ထုတ်လုပ်မှုတွင် အနုပညာ-ပြည်နယ် နည်းပညာကို တီထွင်ခဲ့ပြီး၊ အရည်အသွေး နှင့် စွမ်းဆောင်ရည် လွန်စွာ တိုးတက်လာပြီး၊ ပါဝါ အီလက်ထရွန်နစ် ပစ္စည်းကို အသုံးချရာတွင် ပိုမို ကြီးမားသော အောင်ပွဲများ ရရှိခဲ့သည်။ နယ်ပယ်များနှင့် ပါတနာများအတွက် ပိုတန်ဖိုးကို ဖန်တီးထားသည်။

နိဒါန်း-

1. ချစ်ပ်ပြား

RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်မှထုတ်လုပ်သော thyristor ချစ်ပ်ကို sintered သတ္တုစပ်နည်းပညာဖြင့်အသုံးပြုသည်။ဆီလီကွန် နှင့် မိုလစ်ဘဒင်နမ် wafer ကို သန့်စင်သော အလူမီနီယမ် (99.999%) ဖြင့် ရောစပ်ရန်အတွက် သန့်စင်ထားသော လေဟာနယ်နှင့် မြင့်မားသော အပူချိန် ပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် ဖြစ်သည်။sintering ဝိသေသလက္ခဏာများ၏စီမံခန့်ခွဲမှုသည် thyristor ၏အရည်အသွေးကိုထိခိုက်စေရန်အဓိကအချက်ဖြစ်သည်။RUNAU Electronics ၏ ကျွမ်းကျင်မှုသည် thyristor ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး မြင့်မားသော conduction လည်ပတ်မှုကို အားကောင်းစေရန်အတွက် ပြည့်စုံသောပျံ့နှံ့မှုစွမ်းရည်၊ အလွိုင်းအပေါက်အပြင် သတ္တုစပ်လမ်းဆုံအတိမ်အနက်ကို စီမံခန့်ခွဲရန်အပြင် RUNAU Electronics ၏ အသိပညာကို အသုံးချခဲ့ပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာပါစေ။

2. Encapsulation

molybdenum wafer နှင့် ပြင်ပပက်ကေ့ခ်ျ၏ ညီညာမှုနှင့် အပြိုင်ထိန်းချုပ်မှုအား တင်းကျပ်စွာထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ချစ်ပ်နှင့် မိုလီဘဒင်နမ်ဝေဖာကို ပြင်ပအထုပ်နှင့် တင်းတင်းကြပ်ကြပ် လုံးလုံး ပေါင်းစပ်ထားမည်ဖြစ်သည်။၎င်းသည် surge current နှင့် high short circuit current တို့၏ ခံနိုင်ရည်အား အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးလိမ့်မည်။အီလက်ထရွန်အငွေ့ပျံခြင်းနည်းပညာကို တိုင်းတာခြင်းနည်းပညာကို ဆီလီကွန်ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ထူထဲသောအလူမီနီယံဖလင်တစ်ခုဖန်တီးရန် အသုံးပြုခဲ့ပြီး မော်လီဘဒင်နမ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ချထားသော ruthenium အလွှာသည် အပူပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို လွန်စွာခံနိုင်ရည်ရှိစေမည်ဖြစ်ပြီး thyristor ၏အလုပ်သက်တမ်းသည် သိသိသာသာတိုးလာမည်ဖြစ်သည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်

1. RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်မှထုတ်လုပ်သောအလွိုင်းအမျိုးအစားချစ်ပ်ဖြင့် Phase controlled thyristor သည် I_TAV300A မှ 6000A နှင့် V_DRM/V_RRM800V မှ 4400V အထိ။
2. I_GT, v_GTငါ_H25 ℃ တွင် စမ်းသပ်မှုတန်ဖိုးများ ဖြစ်သည်၊ အခြားနည်းဖြင့် မဖော်ပြထားပါက၊ အခြား ကန့်သတ်ချက်များ အားလုံးသည် T အောက်တွင် စမ်းသပ်တန်ဖိုးများ ဖြစ်သည်။_jm;
3. I²t=ငါ²F SM×tw/2၊ tw= Sinusoidal တစ်ဝက်လှိုင်း လက်ရှိအခြေခံအကျယ်။50Hz မှာ I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. 60Hz မှာ: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066၊T_j=T_j;ငါ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943၊T_j=T_jm

ကန့်သတ်ချက်-