ဖော်ပြချက်-

Square thyristor ချစ်ပ်သည် thyristor ချစ်ပ်အမျိုးအစားဖြစ်ပြီး တံခါး၊ cathode၊ silicon wafer နှင့် anode အပါအဝင် PN လမ်းဆုံသုံးခုပါရှိသော လေးလွှာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည်။cathode၊ silicon wafer နှင့် anode အားလုံးသည် ပြားချပ်ချပ်နှင့် စတုရန်းပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန် wafer ၏ တစ်ဖက်ကို cathode ဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး နောက်တစ်ဖက်ကို anode ဖြင့် ချိတ်ထားကာ၊ ခဲအပေါက်ကို cathode တွင် ဖွင့်ထားပြီး တံခါးကို အပေါက်တွင် စီစဉ်ထားသည်။တံခါး၊ cathode နှင့် anode မျက်နှာပြင်ကို ဂဟေပစ္စည်းဖြင့် စီတန်းထားသည်။အဓိကထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များပါဝင်သည်- ဆီလီကွန် wafer သန့်ရှင်းရေး၊ ပျံ့နှံ့မှု၊ ဓာတ်တိုးမှု၊ photolithography၊ သံချေးတက်မှု၊ passivation ကာကွယ်မှု၊ သတ္တုပြုလုပ်မှု၊ စမ်းသပ်မှုနှင့် အန်စာတုံးများ။

ထုတ်လုပ်မှုအစုစု-

• ITAV=25A~200A၊

• VRRM=1600V

ဂိတ်အမျိုးအစား-

• တြိဂံထောင့်ဂိတ်- ITAV=25A~60A

• အလယ်ဗဟိုဂိတ်- ITAV=110A~200A

ဖွဲ့စည်းပုံ-

• နှစ်ချက် mesa

• Metallized anode သည် အလွှာပေါင်းစုံ သတ္တု TiNiAg သို့မဟုတ် Al+TiNiAg ဖြစ်သည်။

• Metallized cathode အလွှာသည် Al သို့မဟုတ် TiNiAg ဖြစ်သည်။

အင်္ဂါရပ်များ:

• ဖြန့်ဝေထားသော အလူမီနီယမ် ပျံ့နှံ့မှု၊ နိမ့်ကျသော အခြေအနေတွင် ဗို့အားကျဆင်းမှု၊ ပိတ်ဆို့ခြင်း ဗို့အားမြင့်မားခြင်း။

• နှစ်ချက် အနှုတ်ထောင့်ပုံသဏ္ဍာန်

• Passivation အကာအကွယ်ပစ္စည်း- SIPOS+GLASS+LTO

• Low IL နှင့် ကျယ်ပြန့်သောလျှောက်လွှာ

• ထူထဲသော အလူမီနီယမ်အလွှာနှင့် လွယ်ကူစွာ ချည်နှောင်ထားသည်။

• အထူးကောင်းမွန်သော အစပျိုးညီညွတ်မှု