Phase Control Thyristor (Free Floating Type)

ဖော်ပြချက်-

အထူးသဖြင့် HVDC transmission ၏ ပါဝါနှင့် converter ကိရိယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည် တိုးမြင့်လာမှုနှင့်အတူ၊ unit thyristor ၏ အထွက်ပါဝါစွမ်းရည်သည် သင့်လျော်စွာ တိုးမြှင့်ပေးရန် တောင်းဆိုနေသည်၊ ထိုသို့သောအားဖြင့် စီးရီးနှင့် အပြိုင်ချိတ်ဆက်မှု circuit တွင် thyristor ၏ တပ်ဆင်မှုပမာဏကို လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်သည်။စက်ပစ္စည်းအရွယ်အစားနှင့် အလေးချိန်ကို လျှော့ချမည်၊ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု နည်းပါးမည်ဖြစ်ပြီး၊ လက်ရှိနှင့် ဗို့အားပင်လျှင် အလွယ်တကူ သိရှိနိုင်မည်ဖြစ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော လည်ပတ်မှုနှင့် ကုန်သွယ်မှုတန်ဖိုး သိသိသာသာ တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။

မြင့်မားသောပါဝါမြင့်မားသော thyristor ကိုထုတ်လုပ်ရန် အခမဲ့ရေပေါ်ဆီလီကွန်နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းသည် မြင့်မားသော စံသတ်မှတ်ချက်လိုအပ်ချက်ကို ဖြည့်ဆည်းပေးမည်ဖြစ်သည်။2019 ခုနှစ် ဇူလိုင်လတွင် RUNAU Electronics သည် 5" ချစ်ပ်ပါသော 5200V thyristor ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်ခဲ့ပြီး China HVDC ပရောဂျက်တွင် အသုံးပြုသည့် ဖောက်သည်များအား ပံ့ပိုးပေးခဲ့ပါသည်။

နိဒါန်း-

1. ချစ်ပ်ပြား

RUNAU Electronics မှ ထုတ်လုပ်သော အဆင့်အတန်းမြင့်သော thyristor ချစ်ပ်ပြားသည် အခမဲ့ ရေပေါ်နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။၎င်းသည် ပါဝါမြင့်သော ဗို့အားမြင့် thyristor ကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် နောက်ဆုံးပေါ်နှင့် ရင့်ကျက်သောနည်းပညာအဖြစ် ကောင်းစွာအသိအမှတ်ပြုထားသည်။၎င်းကို ကမ္ဘာ့အဆင့်မီ ထုတ်လုပ်သူအများစုမှ တွင်ကျယ်စွာ အသုံးချသည်။

ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ဗို့အားခုခံမှုကို တိုးမြှင့်ရန်၊ လျှပ်စီးကြောင်းကျဆင်းမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် အစပျိုးခြင်းနှင့် ဒိုင်နမစ်လက္ခဏာများကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို သိပ်သည်းဆနှင့် အကျယ်တွင် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသည်။photolithography ပုံစံအသစ်သည် di/dt နှင့် dv/dt အင်္ဂါရပ်ကို မြှင့်တင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ဆီလီကွန် wafer နှင့် cathode မျက်နှာပြင်၏အစွန်းကိုကာကွယ်ရန် ချစ်ပ်၏အဆက်အသွယ်ဖွဲ့စည်းပုံကို ပြန်လည်တည်ဆောက်ထားပြီး၊ ပြောင်းပြန်ဗို့အားစွမ်းဆောင်ရည်ကို များစွာတိုးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။

2. Encapsulation

Free floating silicon နည်းပညာ၏ အားသာချက်မှာ silicon နှင့် molybdenum wafer အကြား ပုံပျက်ခြင်းကို ထိန်းထားနိုင်ပြီး molybdenum wafer သုံးစွဲမှု လျော့ကျသွားခြင်း ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန်ဝေဖာနှင့် အထုပ်၏ ကြေးနီတုံးများ၏ ပြားချပ်မှုသည် အလွန်လိုအပ်သော်လည်း မျဉ်းပြိုင်နှင့် ကြမ်းတမ်းမှုလိုအပ်ချက်သည် သတ္တုစပ်ချစ်ပ်နည်းပညာထက် ပိုမိုမြင့်မားသည်။စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်ကောင်းမွန်မှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုတို့ဖြင့် RUNAU Electronic သည် နည်းပညာဆိုင်ရာ အခက်အခဲများနှင့် အတားအဆီးအားလုံးကို ကျော်လွှားနိုင်ခဲ့သည်။အခမဲ့ရေပေါ်နည်းပညာ၊ ပါဝါမြင့်မားသောဗို့အားမြင့် thyristor သည် ယုံကြည်စိတ်ချရသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စီးပွားဖြစ်ထိရောက်သောဖြေရှင်းချက်ဖြင့် သုံးစွဲသူများအတွက် တီထွင်ဖန်တီးပေးခဲ့ပါသည်။၎င်းတို့အများစုအား မြင့်မားသောပါဝါထိန်းချုပ်နိုင်သော rectifier၊ မြင့်မားသောဗို့အားပျော့သောစထရီ၊ HVDC ပါဝါထုတ်လွှင့်မှု၊ စက်ခေါင်းဆွဲမှု၊ တက်ကြွသောဓာတ်အားလျော်ကြေးပေးခြင်းနှင့် pulse ပါဝါလျှောက်လွှာစနစ်တို့တွင် တပ်ဆင်ထားသည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်

1. RUNAU အီလက်ထရွန်းနစ်မှထုတ်လုပ်သောအလွိုင်းအမျိုးအစားချစ်ပ်ဖြင့် Phase controlled thyristor သည် I_TAV350A မှ 5580A နှင့် V_DRM/V_RRM3400V မှ 8500V အထိ။
2. I_GT, v_GTငါ_H25 ℃ တွင် စမ်းသပ်မှုတန်ဖိုးများ ဖြစ်သည်၊ အခြားနည်းဖြင့် မဖော်ပြထားပါက၊ အခြား ကန့်သတ်ချက်များ အားလုံးသည် T အောက်တွင် စမ်းသပ်တန်ဖိုးများ ဖြစ်သည်။_jm;
3. I²t=ငါ²F SM×tw/2၊ tw= Sinusoidal တစ်ဝက်လှိုင်း လက်ရှိအခြေခံအကျယ်။50Hz မှာ I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. 60Hz မှာ: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066၊T_j=T_j;ငါ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943၊T_j=T_jm

ကန့်သတ်ချက်: